Lateral Power Transistors in Integrated Circuits

Lateral Power Transistors in Integrated Circuits

AngličtinaPevná vazbaTisk na objednávku
Erlbacher Tobias
Springer, Berlin
EAN: 9783319004990
Tisk na objednávku
Předpokládané dodání v pátek, 14. srpna 2026
2 351 Kč
Běžná cena: 2 612 Kč
Sleva 10 %
ks
Chcete tento titul ještě dnes?
knihkupectví Megabooks Praha Korunní
není dostupné
Librairie Francophone Praha Štěpánská
není dostupné
knihkupectví Megabooks Ostrava
není dostupné
knihkupectví Megabooks Olomouc
není dostupné
knihkupectví Megabooks Plzeň
není dostupné
knihkupectví Megabooks Brno
není dostupné
knihkupectví Megabooks Hradec Králové
není dostupné
knihkupectví Megabooks České Budějovice
není dostupné
knihkupectví Megabooks Liberec
není dostupné

Podrobné informace

The book summarizes and compares recent advancements in the development of novel lateral power transistors (LDMOS devices) for integrated circuits in power electronic applications.

In its first part, the book motivates the necessity for lateral power transistors by a top-down approach: First, it presents typical energy conversion applications in modern industrial, automotive and consumer electronics. Next, it introduces common circuit topologies suitable for these applications, and discusses the feasibility for monolithic integration. Finally, the combination of power and logic functionality on a single chip is motivated and the requirements and limitations for the power semiconductor devices are deduced.

The second part describes the evolution of lateral power transistors over the past decades from the simple pin-type concept to double-acting RESURF topologies. It describes the principle of operation for these LDMOS devices and discusses limitations of lateral power devices. Moreover, figures-of-merit are presented which can be used to evaluate the performance of the novel lateral power transistors described in this book with respect to the LDMOS devices.

In the last part, [..] the fundamental physical concepts including charge compensation and trench gate topologies are discussed. Also, the status of research in LDMOS devices on silicon carbide is presented. Advantages and drawbacks for each of these integration approaches are summarized, and the feasibility with respect to power electronic applications is evaluated.

EAN 9783319004990
ISBN 3319004999
Typ produktu Pevná vazba
Vydavatel Springer, Berlin
Datum vydání 24. října 2014
Stránky 223
Jazyk English
Rozměry 235 x 155
Země Switzerland
Sekce Professional & Scholarly
Autoři Erlbacher Tobias
Ilustrace XIX, 223 p. 157 illus.
Série Power Systems
Informace o výrobci
Kontaktní informace výrobce nejsou momentálně dostupné online, na nápravě intenzivně pracujeme. Pokud informaci potřebujete, napište nám na [email protected], rádi Vám ji poskytneme.